參數(shù)資料
型號(hào)： MT55L128V32F1T-11
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 32 ZBT SRAM, 8.5 ns, PQFP100
封裝： PLASTIC, MS-026, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 12/26頁(yè)
文件大?。?/td> 372K
代理商： MT55L128V32F1T-11
2
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 Flow-Through ZBT SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT55L256L18F1_F.p65 – Rev. F, Pub. 1/03 EN
2003, Micron Technology, Inc.
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36
FLOW-THROUGH ZBT SRAM
36
DQs
K
MODE
17
BWa#
BWb#
R/W#
CE#
CE2
CE2#
OE#
READ LOGIC
128K x 8 x 4
(x32)
128K x 9 x 4
(x36)
MEMORY
ARRAY
E
INPUT
REGISTER
BWc#
BWd#
ADDRESS
REGISTER
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
17
15
17
BURST
LOGIC
SA0'
SA1'
D1
D0
Q1
Q0
SA0
SA1
17
ADV/LD#
CE
ADV/LD#
K
CLK
CKE#
WRITE
DRIVERS
D
A
T
A
S
T
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
E
R
S
E
S
E
N
S
E
A
M
P
S
WRITE ADDRESS
REGISTER
SA0, SA1, SA
NOTE: Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See truth tables, pin descriptions and timing diagrams for
detailed information.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
128K x 32/36
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
256K x 18
18
SA0, SA1, SA
K
MODE
18
BWa#
BWb#
R/W#
CE#
CE2
CE2#
OE#
READ LOGIC
DQs
D
A
T
A
S
T
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
E
R
S
256K x 9 x 2
MEMORY
ARRAY
E
INPUT
REGISTER
ADDRESS
REGISTER
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
18
16
18
BURST
LOGIC
SA0'
SA1'
D1
D0
Q1
Q0
SA0
SA1
18
ADV/LD#
CE
ADV/LD#
K
S
E
N
S
E
A
M
P
S
CLK
CKE#
WRITE
DRIVERS
WRITE ADDRESS
REGISTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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