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參數(shù)資料
| 型號： | MT49H16M16FM |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| 中文描述： | 低延遲DRAM延遲DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 3/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 652K |
| 代理商： | MT49H16M16FM |
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3
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
NOTE:
1. When the BL4 setting is used, A19 is a “Don’t Care.”
2. In the 16 Meg x 16 configuration, only DQS[1:0] and DQS#[1:0] are used.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
16 Meg x 16
A0–A19, B0, B1, B2
Column Address
Buffer
Column Address
Counter
Refresh
Counter
Row Decoder
Memory Array
Bank 1
C
S
Row Address
Buffer
Row Decoder
Memory Array
Bank 0
C
S
Row Decoder
Memory Array
Bank 2
C
S
Row Decoder
Memory Array
Bank 3
C
S
Row Decoder
Memory Array
Bank 5
C
S
Row Decoder
Memory Array
Bank 4
C
S
Row Decoder
Memory Array
Bank 6
C
S
Row Decoder
Memory Array
Bank 7
C
C
C
A
W
C
R
D
D
V
R
S
Data Valid
DVLD
Data Read Strobe
DQS[1:0], DQS#[1:0]
Input Buffers
Output Buffers
Control Logic and Timing Generator
DQ0–DQ15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H8M32 | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H16M16FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX16 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H16M16FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-4 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-5 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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