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參數(shù)資料
| 型號： | MT48H16M16LFFG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | MOBILE SDRAM |
| 中文描述： | 移動(dòng)SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 20/58頁 |
| 文件大小： | 1451K |
| 代理商： | MT48H16M16LFFG |
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20
256Mb: x16 Mobile SDRAM
MobileRamY26L_A.p65 – Pub. 5/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
256Mb: x16
MOBILE SDRAM
ADVANCE
Figure 12
Terminating a READ Burst
PRECHARGE command is that it requires that the com-
mand and address buses be available at the appropri-
ate time to issue the command; the advantage of the
PRECHARGE command is that it can be used to trun-
cate fixed-length or full-page bursts.
Full-page READ bursts can be truncated with the
BURST TERMINATE command, and fixed-length READ
bursts may be truncated with a BURST TERMINATE
command, provided that auto precharge was not acti-
vated. The BURST TERMINATE command should be
issued
x
cycles before the clock edge at which the last
desired data element is valid, where
x
equals the CAS
latency minus one. This is shown in Figure 12 for each
possible CAS latency; data element
n
+ 3 is the last
desired data element of a longer burst.
DON’T CARE
CLK
DQ
D
OUT
n
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
NOP
NOP
NOP
BANK,
COL
n
NOP
D
OUT
n
+ 1
D
OUT
n
+ 2
D
OUT
n
+ 3
BURST
TERMINATE
NOP
T7
NOTE:
DQM is LOW.
CLK
DQ
D
OUT
n
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
NOP
NOP
BANK,
COL
n
NOP
D
OUT
n
+ 1
D
OUT
n
+ 2
D
OUT
n
+ 3
BURST
TERMINATE
NOP
CLK
DQ
D
OUT
n
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
NOP
NOP
BANK,
COL
n
NOP
D
OUT
n
+ 1
D
OUT
n
+ 2
D
OUT
n
+ 3
BURST
TERMINATE
NOP
X
= 0 cycles
CAS Latency = 1
X
= 1 cycle
CAS Latency = 2
CAS Latency = 3
X
= 2 cycles
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H16M18C | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT49H16M18CFM-xx | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT49H32M9C | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT49H32M9CFM-xx | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| MT4C1004J | 4 Meg x 1 FPM DRAM(4 M x 1快速頁面模式動(dòng)態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48H16M16LFP-8 LXT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX16 SSDRAM PLASTIC EXT TEMP PBF TSOP 1.8V - Trays |
| MT48H16M16LFTG-10 IT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 54-Pin TSOP Tray |
| MT48H16M32L2B5-10 | 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 100MHZ 90VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT48H16M32L2B5-10 IT | 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 100MHZ 90VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT48H16M32L2B5-10 IT TR | 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 100MHZ 90VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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