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參數(shù)資料
| 型號： | MT46V128M4P-75ZLIT:C |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 93/94頁 |
| 文件大?。?/td> | 4179K |
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Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. J 1/06 EN
93
2000–2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Package Dimensions
Figure 54:
66-Pin Plastic TSOP (400 mil)
Notes: 1. All dimensions are in millimeters.
2. Package width and length do not include mold protrusion; allowable mold protrusion is
0.25mm per side.
SEE DETAIL A
0.10
0.65 TYP
0.71
10.16 ±0.08
0.15
0.50 ±0.10
PIN #1 ID
DETAIL A
22.22 ± 0.08
0.32 ± .075 TYP
+0.03
-0.02
+0.10
-0.05
1.20 MAX
0.10
0.25
11.76 ±0.10
0.80 TYP
0.10 (2X)
GAGE PLANE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V64M4TG-75E | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V64M4FG-75Z | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT47H128M8HQ-3AT | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| MT47H64M16HR-3IT | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| MT48H8M16LFB4-8IT:JTR | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V128M4T67A3WC1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MX4 DDR SDRAM DIE-COM COMMERCIAL 2.5V - Trays |
| MT46V128M4TG-5B/D | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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