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參數(shù)資料

型號(hào)：	MT46V128M4P-75ZLIT:C
元件分類：	DRAM
英文描述：	128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
封裝：	0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66
文件頁(yè)數(shù)：	56/94頁(yè)
文件大?。?/td>	4179K

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09005aef80a1d9e7

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

512MbDDRx4x8x16LOT.fm - Rev. J 1/06 EN

512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM

List of Tables

Table 1:

Addressing Configuration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Table 2:

Key Timing Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Table 1:

Speed Grade Backward Compatibility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2

Table 2:

Ball/Pin Descriptions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

Table 3:

Reserved NC Balls and Pins . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Table 4:

Burst Definition. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Table 5:

CAS Latency (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

Table 6:

Truth Table – Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Table 7:

Truth Table – DM Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Table 8:

Truth Table – CKE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .49

Table 9:

Truth Table – Current State Bank n - Command to Bank n. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50

Table 10:

Truth Table – Current State Bank n - Command to Bank m . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .52

Table 13:

DC Electrical Characteristics and Operating Conditions (-6, -6T, -75E, -75Z, -75) . . . . . . . . . . . . . . .54

Table 14:

DC Electrical Characteristics and Operating Conditions (-5B DDR400) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .55

Table 15:

AC Input Operating Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .55

Table 16:

Clock Input Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .57

Table 17:

Capacitance (x4, x8 TSOP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .58

Table 18:

Capacitance (x4, x8 FBGA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .58

Table 19:

Capacitance (x16 TSOP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .58

Table 20:

Capacitance (x16 FBGA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .58

Table 21:

IDD Specifications and Conditions (x4, x8; -5B) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .59

Table 22:

IDD Specifications and Conditions (x4, x8; -6/-6T/-75E/-75Z/-75) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .60

Table 23:

IDD Specifications and Conditions (x16; -5B) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .61

Table 24:

IDD Specifications and Conditions (x16; -6/-6T/-75E/-75Z/-75) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .62

Table 25:

IDD Test Cycle Times . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .63

Table 26:

Electrical Characteristics & Recommended AC Operating Conditions (-5B) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .64

Table 27:

Electrical Characteristics and Recommended AC Operating Conditions (-6/-6T/-75E) . . . . . . . . . .66

Table 28:

Electrical Characteristics and Recommended AC Operating Conditions (-75Z/-75) . . . . . . . . . . . . .68

Table 29:

Input Slew Rate Derating Values for Addresses and Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .70

Table 30:

Input Slew Rate Derating Values for DQ, DQS, and DM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .70

Table 31:

Normal Output Drive Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .77

Table 32:

Reduced Output Drive Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .78

相關(guān)PDF資料	PDF描述
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MT47H128M8HQ-3AT	128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60
MT47H64M16HR-3IT	64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
MT48H8M16LFB4-8IT:JTR	8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
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MT46V128M4TG-5B/D	制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:

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