參數(shù)資料
型號： MSD601-ST1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： MSD601-ST1G
MSD601RT1, MSD601ST1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Collector Emitter Breakdown Voltage
(IC = 2.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
50
Vdc
Collector Base Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
60
Vdc
Emitter Base Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
70
Vdc
Collector Base Cutoff Current
(VCB = 45 Vdc, IE = 0)
ICBO
0.1
mAdc
Collector Emitter Cutoff Current
(VCE = 10 Vdc, IB = 0)
ICEO
100
nAdc
DC Current Gain (Note 1)
(VCE = 10 Vdc, IC = 2.0 mAdc)
MSD601RT1
MSD601ST1
(VCE = 2.0 Vdc, IC = 100 mAdc)
hFE1
hFE2
210
290
90
340
460
Collector Emitter Saturation Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
0.5
Vdc
1. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 ms, D.C. ≤ 2%.
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MSD601RT1
SC59
3000 Units / Reel
MSD601RT1G
SC59
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3000 Units / Reel
MSD601ST1
SC59
3000 Units / Reel
MSD601ST1G
SC59
(PbFree)
3000 Units / Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
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PDF描述
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