型號: | MSD42T1G |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 150 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 125K |
代理商: | MSD42T1G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MSD52-16 | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
MSD52-16 | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
MSD601-RT3 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MSD601-ST3 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MSD601-ST1G | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MSD42WT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 150mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MSD42WT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 150mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MSD42WT1G_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors |
MSD4410C | 功能描述:LED 顯示器和配件 .40" 2-DI GN GY FACE RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
MSD4440C | 功能描述:LED 顯示器和配件 .40" 2-DI GN GY FACE RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |