參數(shù)資料
型號： MRFE6S9205HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 404K
代理商： MRFE6S9205HSR3
MRFE6S9205HR3 MRFE6S9205HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
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Application Notes
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Oct. 2007
Initial Release of Data Sheet
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFE6S9205HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6VP5600HSR6 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6VP5600HR6 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6VP5600HR5 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6VP61K25HR6 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFE6S9205HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6VP100H 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors
MRFE6VP100HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 100W 50V ISM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6VP100HR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6VP Series 1 GHz 100 W 26 dB Gain PNP RF Power Transistor - CASE 017 AA
MRFE6VP100HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 100W 50V ISM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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