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參數資料
| 型號： | MRFC966 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 150K |
| 代理商： | MRFC966 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF966 | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MRFG35003N6T1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35003NT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MRFG35005MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35005NT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRFE6P3300HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 300W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6P3300HR3_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRFE6P3300HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 300W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6P9220HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6P9220HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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