參數(shù)資料
型號： MRF9060LR1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大小： 348K
代理商： MRF9060LR1
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
70
0
0.1
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
10
1
10
20
30
40
50
60
10
100
8
10
12
14
16
18
20
0
10
20
30
40
50
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
f, FREQUENCY (MHz)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
930
18
Figure 3. Class AB Broadband Circuit Performance
14
11
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Power Gain versus Output Power
Figure 5. Intermodulation Distortion versus
Output Power
15
13
12
17
16
935
940
945
950
955
960
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Figure 7. Power Gain and Efficiency versus
Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
h
38
36
34
32
30
35
40
45
50
10
18
14
,DRAINh
EFFICIENCY
(%)
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
Gps
h
IMD
IRL
Gps
h
VDD = 26 Vdc
IDQ = 450 mA
f = 945 MHz
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 26 Vdc
Pout = 60 W (PEP)
IDQ = 450 mA
1
10
100
500 mA
IDQ = 650 mA
VDD = 26 Vdc
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
450 mA
275 mA
VDD = 26 Vdc
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
IDQ = 275 mA
12
16
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15
1
10
100
20
25
30
40
45
50
60
450 mA
500 mA
650 mA
3rd Order
5th Order
7th Order
35
55
TwoTone Measurement,
100 kHz Tone Spacing
VDD = 26 Vdc
IDQ = 450 mA
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9060LSR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF9060LSR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF9060MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRF9060MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF9060NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9060LR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9060LR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W 1GHZ RFPWR FET NI360 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9060LSR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W 945MHZ NI360S LOW AU RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9060LSR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9060LSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W RF PWR FET NI360LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*