參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S26060HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 465J-02, NI-400S-240, 2 PIN
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大小： 220K
代理商： MRF8S26060HSR3
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S26060HR3 MRF8S26060HSR3
Figure 1. MRF8S26060HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
+
CUT
OUT
AREA
MRF8S26060
C8
Rev. 4
C15
B1
C2
C17
R1
C1
C6
C7
C3
C9
C11
C12
C16
C5
C4
C10
C13
C14
Table 5. MRF8S26060HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
B1
RF Ferrite Bead
MPZ2012S300AT000
TDK
C1, C2, C3, C4, C5
5.6 pF Chip Capacitors
ATC100B5R6CT500XT
ATC
C6, C7
0.3 pF Chip Capacitors
ATC100B0R3BT500XT
ATC
C8, C9, C10
10
μF, 50 V Chip Capacitors
C5750X7R1H106KT
TDK
C11, C13
22
μF, 50 V Chip Capacitors
C5750JF1H226ZT
TDK
C12, C14
22
μF, 35 V Tantalum Capacitors
T491X226K035AT
Kemet
C15
680 nF, 100 V Chip Capacitor
C3225X7R2A684KT
TDK
C16
220
μF, 63 V Electrolytic Capacitor
MCGPR63V227M10X21
Multicomp
C17
1 nF, 250 V Chip Capacitor
C2012X7R2102KT
TDK
R1
12
Ω, 1/4 W Chip Resistor
CRCW120612R0FKEA
Vishay
PCB
0.030
″, εr = 2.55
CuClad
25064-0300-55-22
Arlon
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PDF描述
MRF8S26120HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S26120HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S7120NR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S7170NR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S8260HSR5 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF8S26060HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26120HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26120HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26120HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26120HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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