參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S26060HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 465J-02, NI-400S-240, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/14頁(yè)
文件大?。?/td> 220K
代理商： MRF8S26060HSR3
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S26060HR3 MRF8S26060HSR3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S26120HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S26120HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S7120NR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S7170NR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S8260HSR5 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF8S26060HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26120HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26120HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26120HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S26120HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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