參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S21172HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/14頁(yè)
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代理商： MRF8S21172HR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 5. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
--10
--20
10
22
0
60
50
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
20
18
10
100
200
10
--60
AC
PR
(d
Bc)
16
14
12
0
--30
--40
--50
Figure 6. Broadband Frequency Response
0
24
1700
f, FREQUENCY (MHz)
16
12
8
1800
GAIN
(d
B)
20
Gain
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
IRL
--18
0
--3
--6
--9
--12
IRL
(dB)
4--15
2170 MHz
2140 MHz
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
ηD
VDD =28 Vdc
Pin =0 dBm
IDQ = 1350 mA
2140 MHz
2170 MHz
2110 MHz
Gps
VDD =28 Vdc,IDQ = 1350 mA, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
W--CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 7. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
PR
OBABIL
ITY
(%
)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ±5MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
10
--60
--100
10
(dB
)
--20
--30
--40
--50
--70
--80
--90
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
--1.8
--3.6
--5.4
--9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--7.2
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
--10
0
13
5
7
9
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PDF描述
MRF8S21200HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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