參數(shù)資料
型號： MRF8S21140HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 13/14頁
文件大?。?/td> 214K
代理商： MRF8S21140HR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21140HR3 MRF8S21140HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 970 mA, Pulsed CW,
10
μsec(on), 10% Duty Cycle
51
47
43
38
42
40
44
Actual
Ideal
53
49
41
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
45
55
59
61
63
34
32
30
24
46
28
26
57
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
2140 MHz
2170 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2110
191
52.8
232
53.7
2140
182
52.6
219
53.4
2170
179
52.5
216
53.3
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Ω
Zload
Ω
2110
P1dB
6.74 - j4.91
0.95 - j2.96
2140
P1dB
8.26 - j6.27
0.98 - j3.02
2170
P1dB
8.34 - j0.34
1.07 - j2.82
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S21172HR5 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21172HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21200HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S23120HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S23120HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF8S21140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21140HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21140HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21172HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21172HR3_12 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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