型號(hào): | MRF8S19140HSR3 |
廠商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分類(lèi): | 功率晶體管 |
英文描述: | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封裝: | ROHS COMPLIANT, CASE 465A-06, NI-780, 2 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 12/14頁(yè) |
文件大?。?/td> | 402K |
代理商: | MRF8S19140HSR3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MRF8S19260HSR6 | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF8S21100HR5 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF8S21100HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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MRF8S21120HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MRF8S19140HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF8S19260H | 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
MRF8S19260HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230-8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF8S19260HR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 65V N-CH 1960MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF8S19260HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |