參數(shù)資料
型號： MRF8S19140HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 465A-06, NI-780, 2 PIN
文件頁數(shù)： 13/14頁
文件大?。?/td> 402K
代理商： MRF8S19140HSR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S19140HR3 MRF8S19140HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
35
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =28 Vdc,IDQ = 1100 mA, Pulsed CW,
10 μsec(on) 10% Duty Cycle
54
52
50
36
55
53
47
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
51
56
58
34
32
40
31
30
57
49
48
29
Ideal
Actual
33
37
38
39
1990 MHz
1930 MHz
1960 MHz
1990 MHz
1960 MHz
1930 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
1930
170
52.3
207
53.1
1960
165
52.2
205
53.1
1990
166
52.2
203
53.1
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
1930
P1dB
4.97 -- j5.89
1.28 -- j2.16
1960
P1dB
7.33 -- j5.00
1.18 -- j2.04
1990
P1dB
8.82 -- j5.01
1.04 -- j2.68
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S19260HSR6 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21100HR5 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21100HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21100HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21120HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF8S19140HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S19260H 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF8S19260HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230-8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S19260HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 65V N-CH 1960MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S19260HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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