參數資料
型號： MRF8S18120HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁數： 8/14頁
文件大?。?/td> 409K
代理商： MRF8S18120HR3
MRF8S18120HR3 MRF8S18120HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TA =25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD =28 Vdc, IDQ = 800 mA, 1805--1880 MHz Bandwidth
Pout @ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
—
120
—
W
IMD Symmetry @ 94 W PEP, Pout where IMD Third Order
Intermodulation 30 dBc
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
—
10
—
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
—
35
—
MHz
Gain Flatness in 75 MHz Bandwidth @ Pout =72 W CW
GF
—
0.5
—
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
G
—
0.01
—
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
P1dB
—
0.004
—
dB/°C
Typical GSM EDGE Performances (In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50 ohm system) VDD =28 Vdc, IDQ = 800 mA, Pout =46 W Avg.,
1805--1880 MHz EDGE Modulation
Frequency
Gps
(dB)
ηD
(%)
SR1
@ 400 kHz
(dBc)
SR2
@ 600 kHz
(dBc)
EVM
(% rms)
1805 MHz
17.9
41.0
--64
--76
1.6
1840 MHz
18.2
41.9
--63
--76
1.7
1880 MHz
18.3
43.2
--61
--76
2.0
相關PDF資料
PDF描述
MRF8S18260HSR6 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S18260HR6 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S19140HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S19260HSR6 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21100HR5 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
MRF8S18120HR3_10 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF8S18120HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S18120HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S18120HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S18210WGHSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 210W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*