參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S18120HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/14頁(yè)
文件大?。?/td> 409K
代理商： MRF8S18120HR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S18120HR3 MRF8S18120HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 6. EVM versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
Pout =72 W Avg.
25 W Avg.
EVM,
ER
RO
R
VEC
TO
R
M
AGN
ITU
DE
(%
rm
s)
1900
0
6
1800
3
1
1840
1820
4
2
1860
46 W Avg.
--40
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 7. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
--45
--50
--55
f = 1880 MHz
SPEC
TR
AL
RE
GR
OWTH
@
40
0
kH
z
(d
Bc)
--60
--65
--70
0
--80
--50
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--60
--65
--70
10
Figure 8. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPEC
TR
AL
RE
GR
OWTH
@
60
0
kH
z
(d
Bc)
20
100
--75
30
40
50
--55
60
70
80
90
5
1880
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1840 MHz
1805 MHz
f = 1880 MHz
1840 MHz
1805 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
100
4
10
8
6
0
10
1
2
15
75
45
30
0
Figure 9. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
EVM,
ER
RO
R
VEC
TO
R
M
AGN
ITU
DE
(%
rm
s)
EVM
60
ηD
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
f = 1880 MHz
1840 MHz
1805 MHz
1840 MHz
Figure 10. Broadband Frequency Response
0
20
1440
f, FREQUENCY (MHz)
VDD =28 Vdc
Pin =0 dBm
IDQ = 800 mA
15
10
5
1540
GAIN
(d
B)
Gain
1640 1740 1840
2040 2140 2240 2340
IRL
--20
0
--5
--10
--15
IRL
(dB)
1940
VDD =28 Vdc,IDQ = 800 mA
EDGE Modulation
VDD =28 Vdc,IDQ = 800 mA
EDGE Modulation
VDD =28 Vdc,IDQ = 800 mA
EDGE Modulation
VDD =28 Vdc,IDQ = 800 mA
EDGE Modulation
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PDF描述
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MRF8S18120HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S18120HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S18210WGHSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 210W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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