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參數(shù)資料
| 型號： | MRF8P20160HR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465M-01, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 14/17頁 |
| 文件大小： | 807K |
| 代理商： | MRF8P20160HR3 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20160HR3 MRF8P20160HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
1850
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 37 Watts Avg.
--22
--10
--13
--16
--19
13
18
17.5
17
--33
49
48
47
46
--28
--29
--30
--31
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 16.5
16
15.5
15
14.5
14
13.5
1875
1900
1925
1950
1975
2000
2025 2050
45
--32
--25
PARC
PA
RC
(d
B)
--4.5
--2.5
--3
--3.5
--4
--5
AC
PR
(d
Bc)
Figure 5. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--70
--20
--30
--40
--60
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--50
IM3--U
IM3--L
IM7--U
Figure 6. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--2
--4
--6
20
--1
--3
--5
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
0
40
60
100
0
60
50
40
30
20
10
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
--1 dB = 16 W
--3 dB = 36 W
80
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--60
0
--10
--20
--40
--30
--50
18
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
17
16
15
14
13
12
Gps
3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 9.9 dB @
0.01% Probability on CCDF
VDD =28 Vdc,Pout =37 W (Avg.),IDQA = 550 mA
VGSB = 1.6 Vdc, Single--Carrier W--CDMA
IM7--L
IM5--U
IM5--L
VDD =28 Vdc,Pout = 40 W (PEP)
IDQA = 550 mA, VGSB = 1.6 Vdc, Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1900 MHz
VDD =28 Vdc,IDQA = 550 mA
VGSB = 1.6 Vdc, f = 1900 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF
--2 dB = 26 W
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