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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S23100HR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 411K |
| 代理商： | MRF6S23100HR3 |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
Figure 2. MRF6S23100HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
CUT
OUT
AREA
MRF6S23100 Rev 2.0
C10
C1
R1
B1
C6
C5
C4
C2
C8
C9
C11
C12
C7
C3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S23140HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S23140HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S27050HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S27050HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S27085HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF6S23100HR3_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S23100HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S23100HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S23100HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S23100HXX | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Dield Effect Transistors |
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