參數(shù)資料
型號： MRF6S21060NBR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4
文件頁數(shù)： 4/20頁
文件大?。?/td> 870K
代理商： MRF6S21060NBR1
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
Zo = 10 Ω
Zload
Zin
f = 1950 MHz
f = 2070 MHz
f = 1950 MHz
VDD = 28 Vdc, IDQ = 560 mA
f
MHz
Zin
W
Zload
W
1950
2.227 - j9.127
3.341 - j8.372
1960
2.168 - j8.942
3.239 - j8.218
1970
2.124 - j8.757
3.168 - j8.084
1980
2.073 - j8.606
3.083 - j7.966
1990
2.031 - j8.447
3.009 - j7.865
2000
1.987 - j8.306
2.929 - j7.743
2010
1.940 - j8.155
2.845 - j7.639
2020
1.911 - j8.000
2.775 - j7.529
2030
1.891 - j7.835
2.696 - j7.410
2040
1.856 - j7.711
2.615 - j7.309
2050
1.831 - j7.589
2.549 - j7.207
2060
1.808 - j7.461
2.479 - j7.086
2070
1.782 - j7.325
2.422 - j6.983
Zin
= Device input impedance as measured from
gate to ground.
Zload = Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 22. Series Equivalent Input and Load Impedance — TD-SCDMA
Z
in
Z
load
Device
Under Test
Output
Matching
Network
Input
Matching
Network
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PDF描述
MRF6S21100HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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MRF6S21190HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF6S21100HS 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
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