參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S18140HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大小： 435K
代理商： MRF6S18140HR3
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
Figure 2. MRF6S18140HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
+
C8
R5
R1
B1
R3
C6
C4
C1
C9
R6
R4
B2
R2
C5
C3
C11
C14 C15
C2
C10
C12 C13
C16
CUT
OUT
AREA
MRF6S18140H/HS
Rev. 1
+
C7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S18140HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S19060NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S19060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S19100HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S19100HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S18140HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S18140HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S18140HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S1900HSR3 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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