參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P3300HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-860C3, CASE 375G-04, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 21/24頁(yè)
文件大?。?/td> 993K
代理商： MRF6P3300HR3
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
TYPICAL NARROWBAND CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
-70
-10
10
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD = 32 Vdc, IDQ = 1600 mA, f1 = 857 MHz
f2 = 863 MHz, Two-Tone Measurements
3rd Order
-20
-30
-40
-50
100
600
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
-60
5th Order
5
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing @ 860 MHz
10
-55
-20
0.01
7th Order
TWO-T ONE SPACING (MHz)
VDD = 32 Vdc, Pout = 270 W (PEP), IDQ = 1600 mA
Two-Tone Measurements, f = 860 MHz
5th Order
3rd Order
-25
-30
-40
-50
140
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
0.1
-35
-45
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
44
64
34
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 32 Vdc, IDQ = 1600 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 860 MHz
61
59
57
52
36
38
40
42
Actual
Ideal
63
53
32
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
55
60
58
56
54
33
35
37
39
41
43
62
P1dB = 55.20 dBm
(330.94 W)
P3dB = 55.87 dBm
(386.48 W)
P6dB = 56.28 dBm
(424.54 W)
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
Figure 10. Single-Carrier DVB-T OFDM ACPR,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
15
-64
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
45
-40
30
20
-44
-48
-60
30
40
100
-56
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
Gps
ACPR
VDD = 32 Vdc, IDQ = 1600 mA, f = 860 MHz
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
90
-30
_C
40
50
60 70 80
25
_C
20
200
35
25
-52
-30
_C
25
_C
85
_C
TC = 85_C
25
_C
ηD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P9220HR3 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S18060MR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S18060MBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18060NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P3300HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF6P3300HR5 功能描述:MOSFET RF N-CH 32V 300W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6P9220HR3 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6P9220HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*