參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P3300HR3
廠(chǎng)商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-860C3, CASE 375G-04, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/24頁(yè)
文件大小： 993K
代理商： MRF6P3300HR3
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
18
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
TYPICAL CW BROADBAND CHARACTERISTICS
Figure 43. Pulsed CW Output Power versus
Input Power @ 470 MHz
33
57
29
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 32 Vdc, IDQ = 1600 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 470 MHz
51
30
31
32
Actual
Ideal
56.5
28
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
55
54
53
52
28.5
P1dB = 53.59 dBm
(228.67 W)
56
55.5
54.5
53.5
52.5
51.5
29.5
30.5
31.5
32.5
Figure 44. Pulsed CW Output Power versus
Input Power @ 560 MHz
36
59
30
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 32 Vdc, IDQ = 1600 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 560 MHz
53
31
32
34
Actual
Ideal
29
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
58
57
55
54
P1dB = 54.84 dBm
(304.81 W)
33
35
56
P3dB = 55.49 dBm
(353.76 W)
Figure 45. Pulsed CW Output Power versus
Input Power @ 660 MHz
38
60
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 32 Vdc, IDQ = 1600 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 660 MHz
51
31
32
34
Actual
Ideal
30
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
58
57
55
54
P1dB = 54.04 dBm
(253.67 W)
33
35
56
P3dB = 54.88 dBm
(307.45 W)
59
53
52
36
37
Figure 46. Pulsed CW Output Power versus
Input Power @ 760 MHz
39
60
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 32 Vdc, IDQ = 1600 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 760 MHz
51
32
33
35
Actual
Ideal
31
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
58
57
55
54
P1dB = 54.56 dBm
(286.06 W)
34
36
56
P3dB = 55.25 dBm
(334.73 W)
59
53
52
37
38
Figure 47. Pulsed CW Output Power versus
Input Power @ 860 MHz
40
60
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 32 Vdc, IDQ = 1600 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 860 MHz
52
33
34
36
Actual
Ideal
32
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
58
57
55
54
P1dB = 54.82 dBm
(303.25 W)
35
37
56
P3dB = 55.58 dBm
(361.21 W)
59
53
38
39
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P9220HR3 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S18060MR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S18060MBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18060NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
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