參數(shù)資料
型號： MRF6P23190HR6
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大小： 437K
代理商： MRF6P23190HR6
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P23190HR6
Z
o
= 50
Ω
Z
load
Z
source
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f = 2300 MHz
f = 2400 MHz
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
2300
9.31 - j12.12
7.89 - j32.78
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1900 mA, P
out
= 40 W Avg.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
+
+
2310
9.27 - j11.93
7.61 - j32.19
2320
9.24 - j11.75
7.35 - j31.62
2330
9.21 - j11.57
7.10 - j31.06
2340
9.18 - j11.40
6.86 - j30.53
2350
9.16 - j11.23
6.64 - j30.01
2360
9.14 - j11.06
6.43 - j29.51
2370
2380
9.13 - j10.90
9.12 - j10.75
6.23 - j29.02
6.04 - j28.55
2390
9.11 - j10.59
5.86 - j28.09
2400
9.11 - j10.45
5.68 - j27.64
f = 2300 MHz
f = 2400 MHz
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PDF描述
MRF6P24190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P27160HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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參數(shù)描述
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