參數(shù)資料
型號： MRF5S9101MBR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/20頁
文件大小： 542K
代理商： MRF5S9101MBR1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS - 800 MHz
940
10
20
820
20
65
19
60
18
55
17
50
16
45
15
10
14
12
13
14
12
16
11
18
830 840 850 860 870 880 890 900 910 920 930
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 16. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout = 100 W CW
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL
Gps
VDD = 26 Vdc
IDQ = 700 mA
940
10
20
820
20
45
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 17. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout = 40 W CW
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 26 Vdc
IDQ = 700 mA
19
40
18
35
17
30
16
25
15
10
14
12
13
14
12
16
11
18
830 840 850 860 870 880 890 900 910 920 930
910
0
3.5
850
Pout = 50 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 18. Error Vector Magnitude versus
Frequency
VDD = 28 Vdc
IDQ = 650 mA
EVM,
ERROR
VECT
OR
MAGNITUDE
(%
rms)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
860
870
880
890
900
40 W Avg.
25 W Avg.
100
0
9
1
0
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 19. Error Vector Magnitude and Drain
Efficiency versus Output Power
η
VDD = 28 Vdc
IDQ = 650 mA
f = 880 MHz
EVM
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
EVM,
ERROR
VECT
OR
MAGNITUDE
(%
rms)
850
640
530
320
210
10
TC = 25_C
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9101NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9150HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6P21190HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6P23190HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6P27160HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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