參數(shù)資料
型號： MRF5S9101MBR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4, 4 PIN
文件頁數(shù)： 17/20頁
文件大?。?/td> 542K
代理商： MRF5S9101MBR1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
1020
10
18
860
45
70
60
17
50
16
40
15
30
14
0
13
12
15
11
30
880
900
920
940
960
980
1000
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout = 100 Watts CW
IRL
Gps
VDD = 26 Vdc
IDQ = 700 mA
1020
10
19
860
24
50
45
17
35
16
30
15
14
8
13
12
16
11
20
880
900
920
940
960
980
1000
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL
Gps
VDD = 26 Vdc
IDQ = 700 mA
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout = 40 Watts CW
18
12
40
1000
14
19
1
IDQ = 1500 mA
1300 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Power Gain versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 26 Vdc
f = 940 MHz
1100 mA
900 mA
700 mA
500 mA
300 mA
18
17
16
15
10
100
200
14
19
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 6. Power Gain versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 12 V
16 V
24 V
28 V
32 V
18
17
16
15
20
40
60
80
100
120
140
160
180
20 V
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9101NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9150HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6P21190HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6P23190HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6P27160HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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