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參數(shù)資料
| 型號： | MRF5S21150HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 392K |
| 代理商： | MRF5S21150HR3 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S21150HR3 MRF5S21150HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 8. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
220
10
9
100
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
10
8
10
7
10
6
120
140
160
180
200
0
55
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. (WCDMA)
I
30
25
25
30
20
35
15
40
5
50
1
10
100
η
D
G
ps
ACPR
IM3
45
10
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1300 mA, f1 = 2135 MHz,
f2 = 2145 MHz, 2Carrier WCDMA, 10 MHz
Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel Bandwidth,
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
M
2
)
η
D
,
p
,
W-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single-Carrier Test Signal
P
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
20
5
15
10
0
5
10
15
20
25
25
Figure 11. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
110
120
70
20
80
60
50
(
90
100
40
30
3.84 MHz
Channel BW
IM3 in
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84 MHz BW
ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
WCDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @
±
5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @
±
10 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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