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參數資料
| 型號： | MRF5S21150HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側 |
| 文件頁數： | 2/12頁 |
| 文件大小： | 392K |
| 代理商： | MRF5S21150HR3 |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S21150HR3 MRF5S21150HSR3
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Conditions
Class
Human Body Model
1 (Minimum)
Machine Model
M3 (Minimum)
Charge Device Model
C7 (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 360
μ
Adc)
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 1300 mAdc)
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 3.6 Adc)
V
GS(th)
2.5
—
3.5
Vdc
V
GS(Q)
—
3.7
—
Vdc
V
DS(on)
—
0.26
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 3.6 Adc)
Dynamic Characteristics
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
g
fs
—
9
—
S
C
rss
—
3.2
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1300 mA, P
out
= 33 W Avg., f1 = 2112.5 MHz,
f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz, 2-carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carriers. ACPR measured in
3.84 MHz Channel Bandwidth @
±
5 MHz Offset. IM3 measured in 3.84 MHz Bandwidth @
±
10 MHz Offset. PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF.
Power Gain
G
ps
η
D
11
12.5
—
dB
Drain Efficiency
23
25
—
%
Intermodulation Distortion
IM3
-37
-35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-39
-37
dBc
Input Return Loss
IRL
—
-12
-9
dB
1. Part internally matched both on input and output.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S9080NR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF5S9100MR1 | CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014 |
| MRF5S9100MBR1 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S9100NBR1 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S9100NR1 | CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF5S21150HR5 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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| MRF5S21150R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF5S21150S | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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