參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S21100LSR3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 378K
代理商： MRF5S21100LSR3
MRF5S21100HR3 MRF5S21100HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2100
2120
2160
1.2 - j2.1
2.2 - j3.0
1.4 - j2.3
3.4 - j7.2
3.4 - j6.5
4.9 - j7.0
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1050 mA, P
out
= 23 W Avg.
Z
o
= 10
Z
load
f = 2100 MHz
f = 2200 MHz
Z
source
f = 2100 MHz
f = 2200 MHz
2200
1.7 - j2.1
3.4 - j8.6
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21100HSR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
MRF5S21130HSR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
MRF5S21130HR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
MRF5S21150HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9080NR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S21130 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130HS 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MRF5S21130HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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