參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S19150HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大小： 433K
代理商： MRF5S19150HR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S19150HR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
0
45
70
25
Gps
IM3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG., NCDMA
Figure 8. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power
Gain, Drain Efficiency versus Output Power
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1400 mA
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
2 x NCDMA, 2.5 MHz @ 1.2288 MHz Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
ACPR
40
30
35
30
40
25
45
20
50
15
55
10
60
5
65
1
220
106
109
100
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
MTTF
F
ACT
OR
(HOURS
X
AMPS
2 )
108
107
120
140
160
180
200
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2 for MTTF in a particular application.
ηD
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
N-CDMA TEST SIGNAL
f, FREQUENCY (MHz)
100
0
Figure 10. 2-Carrier N-CDMA Spectrum
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ACPR in 30 kHz
Integrated BW
+ACPR in 30 kHz
Integrated BW
IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
6
1.5
4.5
3
0
1.5
3
4.5
6
7.5
(dB)
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