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參數(shù)資料
| 型號： | MRF5S19150HR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 433K |
| 代理商： | MRF5S19150HR3 |
MRF5S19150HR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
2020
5
15
1900
55
40
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout = 32 Watts Avg.
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
60
10
20
30
40
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
VDD = 28 Vdc, Pout = 32 W (Avg.), IDQ = 1400 mA
2Carrier NCDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing
1.228 MHz Channel Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
50
14
35
13
30
12
25
11
20
10
30
9
35
8
40
7
45
6
50
1920
1940
1960
1980
2000
100
11
16
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
10
15
14
13
12
IDQ = 2100 mA
1700 mA
VDD = 28 Vdc
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
TwoTone Measurement, 2.5 MHz Tone Spacing
1400 mA
700 mA
1050 mA
100
55
15
1
IDQ = 2100 mA
1700 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Third Order Intermodulation versus
Output Power
VDD = 28 Vdc
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
TwoTone Measurement, 2.5 MHz Tone Spacing
10
1400 mA
700 mA
1050 mA
20
25
30
35
40
45
50
10
60
20
0.1
TWOTONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
3rd Order
VDD = 28 Vdc, Pout = 150 W (PEP), IDQ = 1400 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
5th Order
7th Order
25
30
35
40
45
50
55
1
45
49
59
35
P3dB = 53.71 dBm (234.96 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1400 mA
Pulsed CW, 8
μsec (on), 1 msec (off)
f = 1960 MHz
44
43
42
41
40
39
38
37
36
58
57
56
55
54
53
52
51
50
P1dB = 53.01 dBm (199.99 W)
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
INTERMODULA
TION
DIST
O
R
T
ION
(dBc)
IMD,
THIRD
ORDER
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