參數(shù)資料
型號： MRF281SR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-200S, CASE 458B-03, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 283K
代理商： MRF281SR1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF281SR1 MRF281ZR1
Table 3. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS = 10 Vdc, ID = 20 μAdc)
VGS(th)
2.4
3.2
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS = 26 Vdc, ID = 25 mAdc)
VGS(q)
3
4.1
5
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS = 10 Vdc, ID = 0.1 A)
VDS(on)
0.18
0.24
0.30
Vdc
Dynamic Characteristics
Input Capacitance
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz)
Ciss
—
5.5
—
pF
Output Capacitance
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz)
Coss
—
3.3
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz)
Crss
—
0.17
—
pF
Functional Tests (In Freescale Test Fixture)
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 4 W PEP, IDQ = 25 mA,
f1 = 1930.0 MHz, f2 = 1930.1 MHz)
Gps
11
12.5
—
dB
Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 4 W, IDQ = 25 mA,
f1 = 1930.0 MHz, f2 = 1930.1 MHz)
η
30
—
%
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 4 W PEP, IDQ = 25 mA,
f1 = 1930.0 MHz, f2 = 1930.1 MHz)
IRL
—
-16
-10
dB
Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 4 W PEP, IDQ = 25 mA,
f1 = 1930.0 MHz, f2 = 1930.1 MHz)
IMD
—
-31
—
dBc
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
4
APR
09
LAST
SHIP
3
OCT
09
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