參數(shù)資料
型號： MRF157
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 368-03, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 190K
代理商： MRF157
40
30
20
10
0
02
46
8
TYPICAL DEVICE SHOWN
VDS = 10 V
VGS(th) = 3.5 V
gfs = 24 mhos
VGS, GATE-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
DS
100
10
1
2
20
200
TC = 25°C
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
D
Figure 2. Power Gain versus Frequency
Figure 3. Output Power versus Input Power
Figure 4. DC Safe Operating Area
Figure 5. Capacitance versus Drain Voltage
Figure 6. Gate Voltage versus Drain Current
Figure 7. Gate–Source Voltage versus
Case Temperature
30
25
20
15
10
5
0
12
10
5
20
100
50
f, FREQUENCY (MHz)
VDD = 50 V
IDQ = 800 mA
Pout = 600 W
POWER
GAIN
(dB)
800
600
400
200
0
800
600
400
200
0
04080
VDS = 50 V
40 V
04
8
12
16
IDQ = 800 mA
Pin, INPUT POWER (WATTS)
P
,OUTPUT
POWER
(W
ATTS)
out
80
MHz
30
MHz
VDS = 50 V
40 V
5000
2000
1000
500
200
100
50
1
2
5
10
20
50
100
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
1.04
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0.94
0.93
0.92
0.91
0.9
-25
0
25
50
75
100
ID = 20 A
16 A
8 A
4 A
1 A
0.4 A
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
V
,GA
TE-SOURCE
VOL
TAGE
(NORMALIZED)
GS
3
REV 1
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PDF描述
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