參數(shù)資料
型號： MRF157
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 368-03, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 190K
代理商： MRF157
The RF Power MOS Line
Power Field Effect Transistor
N–Channel Enhancement Mode
Designed primarily for linear large–signal output stages to 80 MHz.
Specified 50 Volts, 30 MHz Characteristics
Output Power = 600 Watts
Power Gain = 21 dB (Typ)
Efficiency = 45% (Typ)
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
VDSS
125
Vdc
Drain–Gate Voltage
VDGO
125
Vdc
Gate–Source Voltage
VGS
±40
Vdc
Drain Current — Continuous
ID
60
Adc
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1350
7.7
Watts
W/
°C
Storage Temperature Range
Tstg
–65 to +150
°C
Operating Junction Temperature
TJ
200
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
0.13
°C/W
NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
MRF157
600 W, to 80 MHz
MOS LINEAR
RF POWER FET
CASE 368–03, STYLE 2
D
G
S
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by MRF157/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
1
REV 1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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