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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSW55RLRAG |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 29-10, TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | MPSW55RLRAG |
MPSW55, MPSW56
http://onsemi.com
3
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 2. Collector Saturation Region
V
CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS) -1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-0.1
-10
-1.0
TJ = 25°C
IC = -10 mA
-0.05
-0.2
-0.5
-2.0
-5.0
-20
-50
-100 mA
-250 mA
-500 mA
-50
mA
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. “On” Voltages
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = -1.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
-0.5
VBE(sat) @ IC/IB = 10
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100 -200
-500
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. BaseEmitter Temperature Coefficient
-0.8
-2.8
-1.0
-100
-10
qVB for VBE
-0.5
-2.0
-5.0
-20
-50
-200
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
VB
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
-500
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Figure 5. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
-100
-50
-20
-10
-5.0
-2.0
-1.0
-0.5
-0.2
-0.1
100
70
50
30
20
5.0
TJ = 25°C
Cobo
Cibo
10
7.0
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
-2 k
-1.0
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
MPSW55
-2.0
-5.0
Figure 6. CurrentGain — Bandwidth Product
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
-500
-200
-100
-50
-20
-10
-20
-60 -80 -100
MPSW56
100
ms
1.0 ms
1.0 s
TC = 25°C
TA = 25°C
dc
-1 k
DUTY CYCLE
≤ 10%
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-200
-70
-50
-30
-20
-10
-7.0
-5.0
-3.0
-2.0
200
100
70
50
20
VCE = -2.0 V
TJ = 25°C
f,
CURRENT-GAIN
—
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
-100
30
Figure 7. Active Region — Safe Operating
Area
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW55ZL1 | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW55RLRF | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW55RLRE | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW55RLRA | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW55RL1 | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSW56 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW56_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW56_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW56RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW56RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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