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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSW55RLRAG |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 29-10, TO-92, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | MPSW55RLRAG |
MPSW55, MPSW56
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MPSW55
MPSW56
V(BR)CEO
60
80
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(IE = 100 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 40 Vdc, IB = 0)
MPSW55
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
MPSW56
ICES
0.5
mAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
MPSW55
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
MPSW56
ICBO
0.1
mAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
0.1
mAdc
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 250 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
100
50
CollectorEmitter Saturation Voltage
(IC = 250 mAdc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
0.5
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(IC = 250 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
VBE(on)
1.2
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain — Bandwidth Product
(IC = 250 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 20 MHz)
fT
50
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
Cobo
15
pF
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
-0.5
-0.7
-1.0
-2.0
-3.0
-5.0
-7.0
-10
-20
-30
-50
-70
-100
-200
200
100
80
60
40
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
25
°C
-55
°C
VCE = -1.0 V
-300
-500
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW55ZL1 | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW55RLRF | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW55RLRE | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW55RLRA | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW55RL1 | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MPSW56_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW56_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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