參數(shù)資料
型號: MPSW01-BP
廠商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 391K
代理商: MPSW01-BP
Figure 5. Current Gain — Bandwidth Product
Figure 6. Capacitance
50
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
70
50
30
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
80
60
40
0
TJ = 25°C
f
20
100
10
Cobo
5.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
200
1000
100
20
15
25
20
,CURRENT–GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
2.0
Cibo
1.0
4.0
3.0
5.0
VCE = 10 V
TJ = 25°C
f = 20 MHz
Cibo
Cobo
MCC
MPSW01
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相關PDF資料
PDF描述
MPSW01 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW01ARLRA 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW01ARLRM 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW01RL1 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW01RLRP 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MPSW05 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW05_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors
MPSW05G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2