參數(shù)資料
型號： MPSW01-BP
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 391K
代理商： MPSW01-BP
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current-Gain—Bandwidth Product
(IC=50mAdc, VCE=10Vdc, f=20MHz)
50
---
MHz
Ccb
Output Capacitance
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)
---
20
pF
MPSW01
MCC
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Collector Saturation Region
Figure 3. “ON” Voltages
Figure 4. Temperature Coefficient
50
500
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
70
50
30
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
2.0
VCE = 1.0 V
TJ = 25°C
h
V
,VOL
T
AGE
(VOL
TS)
q
20
100
0.05
10
0.01 0.02
0.1 0.2
,COLLECT
OR
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
200
1000
100
20
50
100
0.2
V
CE
0.2
0.6
0.4
–0.8
5.0 10
20
50
100 200
,CURRENT
GAIN
FE
0.5
1.0 2.0
5.0
TJ = 25°C
500 1000
qVB FOR VBE
TJ = 25°C
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200 500 1000
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
IC =
1000 mA
IC =
500 mA
IC =
10 mA
IC =
50 mA
IC =
100 mA
IC =
250 mA
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
°
VB
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW01 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW01ARLRA 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW01ARLRM 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW01RL1 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW01RLRP 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW01G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW05 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW05_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors
MPSW05G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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