參數(shù)資料
型號： MPSH10RL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： MPSH10RL
VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
25
Vdc
Collector–Base Voltage
VCBO
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
3.0
Vdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
350
2.8
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.0
8.0
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
357
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
125
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
25
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
30
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
3.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 25 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 2.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductort
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
October, 2001 – Rev. 1
892
Publication Order Number:
MPSH10/D
MPSH10
ON Semiconductor Preferred Devices
CASE 29–04, STYLE 2
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSH10 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSH10 Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
MPSH10 Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
MPSH11-5 Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSH11/D28Z-5 Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSH10RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF/UHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSH10RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF/UHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSH10RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF/UHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSH10RLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF/UHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSH10STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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