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參數(shù)資料
| 型號： | MPSH10 |
| 廠商： | SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| 封裝： | TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | MPSH10 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSH10 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| MPSH11-5 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11/D28Z-5 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11/D74Z-5 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11/D81Z-5 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSH10_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor |
| MPSH10_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:VHF/UHF Transistors NPN Silicon |
| MPSH10_D26Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPSH10_D27Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPSH10_D74Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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