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參數(shù)資料
| 型號： | MPSH10 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 22K |
| 代理商： | MPSH10 |
NPN SILICON PLANAR
RF TRANSISTOR
ISSUE 3 NOVEMBER 94
FEATURES
*High fT=650MHz
* Maximum capacitance 0.7pF
* Low noise < 5dB at 500MHz
REFER TO MPSH10P FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Emitter Voltage
VCES
30
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
25
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
3V
Continuous Collector Current
IC
25
mA
Power Dissipation at Tamb=25°C
Ptot
350
mW
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
30
V
IC=100A, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
25
V
IC=1mA, IB=0
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
3V
IE=10A, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
100
nA
VCB=25V, IE=0
Emitter Cut-Off Current
IEBO
100
nA
VEB=2V,IC=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
0.5
V
IC=4mA, IB=0.4mA
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
0.95
V
IC=4mA, VCE=10V
Static Forward Current
Transfer Ratio
hFE
60
IC=4mA, VCE=10V*
Transition Frequency
fT
650
MHz
IC=4mA, VCE=10V,
f=100MHz
Collector Base
Capacitance
Ccb
0.7
pF
VCB=10V, IE=0
f=1MHz
Collector Base
Time Constant
rbCc
9ps
IC=4mA, VCE=10V,
f=31.8MHz
MPSH10
3-87
B
E
C
TO92
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSH10 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| MPSH10 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| MPSH11-5 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11/D28Z-5 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11/D74Z-5 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSH10_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor |
| MPSH10_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:VHF/UHF Transistors NPN Silicon |
| MPSH10_D26Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPSH10_D27Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPSH10_D74Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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