- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄96028 > MPSA64T/R (NXP SEMICONDUCTORS) 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSA64T/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SPT, SC-43, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | MPSA64T/R |
2004 Oct 11
3
Philips Semiconductors
Product specication
PNP Darlington transistor
MPSA64
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
note 1
250
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
ICBO
collector-base cut-off current
VCB = 30 V; IE =0 A
100
nA
IEBO
emitter-base cut-off current
VEB = 10 V; IC =0 A
100
nA
hFE
DC current gain
10000
20000
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
IC = 100 mA; IB = 0.1 mA
1.5
V
VBEsat
base-emitter saturation voltage
IC = 100 mA; IB = 0.1 mA
1.5
V
VBEon
base-emitter on-state voltage
VCE = 5 V; IC = 100 mA
2V
fT
transition frequency
VCE = 5 V; IC = 100 mA; f = 100 MHz 125
MHz
handbook, full pagewidth
0
100000
20000
40000
60000
80000
hFE
MGD836
1
10
IC (mA)
102
103
Fig.2 DC current gain; typical values.
VCE = 2V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA64RLRP | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA64RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA62ZL1 | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA62RLRE | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA63RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA65 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPS-A65 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON RANSISTORS |
| MPSA65_D26Z | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA65_D27Z | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA65_D75Z | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。