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參數(shù)資料
| 型號： | MPSA64T/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SPT, SC-43, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | MPSA64T/R |
2004 Oct 11
2
Philips Semiconductors
Product specication
PNP Darlington transistor
MPSA64
FEATURES
Low current (max. 500 mA)
Low voltage (max. 30 V)
High DC current gain (min. 10000).
APPLICATIONS
High gain amplification.
DESCRIPTION
PNP Darlington transistor in a TO-92; SOT54 plastic
package. NPN complement: MPSA14.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
collector
2
base
3
emitter
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage
1
3
2
MAM253
21
3
TR2
TR1
ORDERING INFORMATION
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
TYPE NUMBER
PACKAGE
NAME
DESCRIPTION
VERSION
MPSA64
SC-43A
plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
30
V
VCES
collector-emitter voltage
VBE =0 V
30
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
10
V
IC
collector current (DC)
500
mA
ICM
peak collector current
1A
IB
base current (DC)
100
mA
Ptot
total power dissipation
500
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
ambient temperature
65
+150
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA64RLRP | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA64RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA62ZL1 | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA62RLRE | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA63RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA65 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPS-A65 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON RANSISTORS |
| MPSA65_D26Z | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA65_D27Z | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA65_D75Z | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darl Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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