參數(shù)資料
型號(hào)： MPS3646
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Switching Transistor
中文描述： 300 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 268K
代理商： MPS3646
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCES
VCBO
VEBO
IC
15
Vdc
Collector–Emitter Voltage
40
Vdc
Collector–Base Voltage
40
Vdc
Emitter–Base Voltage
5.0
Vdc
Collector Current— Continuous
— 10 s Pulse
300
500
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
200
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, VBE = 0)
Collector–Emitter Sustaining Voltage(1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
V(BR)CES
40
—
Vdc
VCEO(sus)
15
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
40
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 100 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 20 Vdc, VBE = 0)
(VCE = 20 Vdc, VBE = 0, TA = 65
°
C)
ICES
—
—
0.5
3.0
Adc
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
2.0%.
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
Order this document
by MPS3646/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Motorola Preferred Device
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS3646 Switching Trasnistor(NPN Silicon)
MPS3904 General Purpose Transistor
MPS3904 General Purpose Transistor(NPN Silicon)
MPS3906 General Purpose Transistor
MPS3906 General Purpose Transistor(PNP Silicon)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS3646C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN TRANSISTOR
MPS3646G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 300mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS3646RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 300mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS3646RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 300mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS3646RLRM 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.3A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*