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參數(shù)資料
| 型號： | MPS3904 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 412K |
| 代理商： | MPS3904 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
40
Vdc
Collector–Base Voltage
60
Vdc
Emitter–Base Voltage
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
100
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Power Dissipation @ TA = 60
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
PD
450
mW
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
200
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 10
μ
Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
60
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10
μ
Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
6.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc)
ICEX
—
50
nAdc
Base Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc)
IBL
—
50
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, Duty Cycle
≤
2.0%.
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by MPS3904/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS3906 | General Purpose Transistor |
| MPS3906 | General Purpose Transistor(PNP Silicon) |
| MPSH69 | RF Amplifier Transistor |
| MPSW42 | One Watt High Voltage Transistor |
| MPSW42 | One Watt High Voltage Transistor(NPN Silicon) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS3904,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS3906 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP switching transistor |
| MPS3906 AMO | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP SW HS 100MA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS3906,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS39956 WAF | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
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