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參數(shù)資料
| 型號： | MPC8560PX833LC |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, 833 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA783 |
| 封裝： | 29 X 29 MM, 3.75 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC, FCBGA-783 |
| 文件頁數(shù)： | 15/104頁 |
| 文件大?。?/td> | 1244K |
| 代理商： | MPC8560PX833LC |
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MPC8560 Integrated Processor Hardware Specifications, Rev. 5
18
Freescale Semiconductor
DDR SDRAM
6.1
DDR SDRAM DC Electrical Characteristics
Table 13 provides the recommended operating conditions for the DDR SDRAM component(s) of the
MPC8560.
Table 14 provides the DDR capacitance.
6.2
DDR SDRAM AC Electrical Characteristics
This section provides the AC electrical characteristics for the DDR SDRAM interface.
Table 13. DDR SDRAM DC Electrical Characteristics
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
I/O supply voltage
GVDD
2.375
2.625
V
1
I/O reference voltage
MVREF
0.49
× GVDD
0.51
× GVDD
V2
I/O termination voltage
VTT
MVREF – 0.04
MVREF + 0.04
V
3
Input high voltage
VIH
MVREF + 0.18
GVDD + 0.3
V
4
Input low voltage
VIL
–0.3
MVREF – 0.18
V
4
Output leakage current
IOZ
–10
10
μA5
Output high current (VOUT = 1.95 V)
IOH
–15.2
—
mA
—
Output low current (VOUT = 0.35 V)
IOL
15.2
—
mA
—
MVREF input leakage current
IVREF
—100
μA—
Notes:
1. GVDD is expected to be within 50 mV of the DRAM GVDD at all times.
2. MVREF is expected to be equal to 0.5 × GVDD, and to track GVDD DC variations as measured at the receiver. Peak-to-peak
noise on MVREF may not exceed ±2% of the DC value.
3. VTT is not applied directly to the device. It is the supply to which far end signal termination is made and is expected to be equal
to MVREF. This rail should track variations in the DC level of MVREF.
4. VIH can tolerate an overshoot of 1.2V over GVDD for a pulse width of ≤3 ns, and the pulse width cannot be greater than tMCK.
VIL can tolerate an undershoot of 1.2V below GND for a pulse width of ≤3 ns, and the pulse width cannot be greater than tMCK.
5. Output leakage is measured with all outputs disabled, 0 V
≤ VOUT ≤ GVDD.
Table 14. DDR SDRAM Capacitance
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Input/output capacitance: DQ, DQS, MSYNC_IN
CIO
68
pF
1
Delta input/output capacitance: DQ, DQS
CDIO
—0.5
pF
1
Note:
1. This parameter is sampled. GVDD = 2.5 V ± 0.125 V, f = 1 MHz, TA = 25°C, VOUT = GVDD/2, VOUT (peak to peak) = 0.2 V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPC8560PXAQFD | 32-BIT, 1000 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA783 |
| MPC8560PX833LD | 32-BIT, 833 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA783 |
| MPC8560PX833JB | 32-BIT, 833 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA783 |
| MPC8560PXAQFB | 32-BIT, 1000 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA783 |
| MPC8560CPX667JD | 32-BIT, 667 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA783 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MPC8560VT667LB | 功能描述:微處理器 - MPU PQ 3 8560-DRACOM RoHS:否 制造商:Atmel 處理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時(shí)鐘頻率:536 MHz 程序存儲器大小:32 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 KB 接口類型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作電源電壓:1.8 V to 3.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-324 |
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