參數(shù)資料
型號(hào)： MMSF7N03HDR2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 8.2 A, 30 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 255K
代理商： MMSF7N03HDR2
MMSF7N03HD
http://onsemi.com
10
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 13:
PIN 1.
N.C.
2.
SOURCE
3.
SOURCE
4.
GATE
5.
DRAIN
6.
DRAIN
7.
DRAIN
8.
DRAIN
SEATING
PLANE
1
4
5
8
N
J
X 45
_
K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006) PER
SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN
EXCESS OF THE D DIMENSION AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
A
B
S
D
H
C
0.10 (0.004)
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
4.80
5.00
0.189
0.197
MILLIMETERS
B
3.80
4.00
0.150
0.157
C
1.35
1.75
0.053
0.069
D
0.33
0.51
0.013
0.020
G
1.27 BSC
0.050 BSC
H
0.10
0.25
0.004
0.010
J
0.19
0.25
0.007
0.010
K
0.40
1.27
0.016
0.050
M
0
8
0
8
N
0.25
0.50
0.010
0.020
S
5.80
6.20
0.228
0.244
X
Y
G
M
Y
M
0.25 (0.010)
Z
Y
M
0.25 (0.010)
Z
S
X S
M
____
XXXXXX
ALYW
SO8
CASE 75107
ISSUE V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMSF7N03ZR2 7.5 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MMUN2113LT3G 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMUN2134LT1G 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMUN2131LT1G 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMUN2130LT1G 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMSF7N03Z 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SINGLE TMOS POWER MOSFET 7.5 AMPERES 30 VOLTS
MMSF7N03ZR2 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MMSF7P03HD 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 7 A, 30 V, P−Channel SO−8
MMSF7P03HDR2 功能描述:MOSFET 30V 7A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMSF7P03HDR2G 功能描述:MOSFET PFET SO8S 30V 7A 35mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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