參數(shù)資料
型號(hào)： MMPQ3725L86Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MS-012
封裝： SOIC-16
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： MMPQ3725L86Z
Typical Characteristics
Input / Output Capacitance
vs Reverse Bias
0.1
1
10
50
1
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
CAP
AC
IT
AN
CE
(
p
F
)
F = 1 MHz
C obo
C ibo
150
100
50
25
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I
- COLLE CTOR CURRE NT (mA)
V
-B
A
SE-
EMI
T
E
R
V
O
LT
A
G
E(
V)
BE
S
A
T
125 °C
- 40 °C
C
b
25 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
25
0.2
0.4
0.6
0.8
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
S
E
-E
MI
T
ER
O
N
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
BE
(O
N)
C
V
= 1.0V
CE
125 °C
- 40 °C
25 °C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
50
100
150
200
I
- COLLECTOR CURRENT (A)
h
-
TY
P
IC
A
L
P
U
LS
E
D
C
U
R
E
N
T
GA
IN
FE
C
V
= 1.0V
CE
125 °C
- 40 °C
25 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
1000
0
0.1
0.2
0.3
0.4
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
L
E
C
T
O
R
-E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
CE
S
A
T
C
bb
125 °C
- 40 °C
25 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
100
T
- AM BIENT TE MPE RATURE ( C)
I
-
C
O
L
E
CT
O
R
CU
RR
E
N
T
(n
A)
A
V
= 40V
CB
°
CB
O
MMPQ3725
NPN Quad Transistor
(continued)
β = 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMPQ3725R2 1 A, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MMPQ3725R1 4 CHANNEL, Si, POWER TRANSISTOR
MMPQ3725R2 4 CHANNEL, Si, POWER TRANSISTOR
MMPQ3725 1 A, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MMPQ3725 4 CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMPQ3904_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMPQ3904R2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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