參數(shù)資料
型號： MMPQ3725L86Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MS-012
封裝： SOIC-16
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： MMPQ3725L86Z
MMPQ3725
Electrical Characteristics
TA= 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage*
IC = 10 mA, IB = 0
40
V
V(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
IC = 10
A, VBE = 0
60
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, ICE = 0
60
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, IC = 0
6.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 40 V, IE = 0
0.5
A
ON CHARACTERISTICS*
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 1.0%
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 50 mA, VCE = 10 V,
f = 100 MHz
275
MHz
Cobo
Output Capacitance
VCB = 10 V, IE = 0,
f = 1.0 MHz
10
pF
Cibo
Input Capacitance
VEB = 0.5 V, IC = 0,
f = 1.0 MHz
55
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
IC = 100 mA, VCE = 1.0 V
IC = 500 mA, VCE = 1.0 V
40
35
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 500 mA, IB = 50 mA
0.45
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 500 mA, IB = 50 mA
1.0
V
NPN Quad Transistor
(continued)
Ton
Turn-on Time
VCC = 30 V, VBE(off) = 3.8 V,
IC = 500 mA, IB1 = 50 mA
22
ns
Toff
Turn-off Time
VCC = 30 V, IC = 500 mA
IB1 = IB2 = 50 mA
250
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Type
Max
Units
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PDF描述
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